诺思(天津)微系统有限责任公司蔡华林获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法、MEMS装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114671395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011550959.4，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、MEMS装置及电子设备是由蔡华林;庞慰;张巍;季艳丽设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、MEMS装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，一种MEMS装置和一种电子设备。半导体结构包括：第一基底，具有第一限定面；第二基底，具有第二限定面，第一限定面与第二限定面彼此对置；金属密封圈结构，设置在第一限定面与第二限定面之间，密封圈结构、第一和第二限定面限定容纳空间；MEMS器件，容纳空间适于容纳MEMS器件，MEMS器件包括输入端、输出端和至少一个接地端，其中：接地端、输入端和输出端中的一个端为与所述密封圈结构电连接的电连接端。
本发明授权半导体结构及其制造方法、MEMS装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一基底，第一基底具有第一限定面以及与第一限定面在基底的厚度方向上相对的第一非限定面； 第二基底，第二基底具有第二限定面以及与第二限定面在基底的厚度方向上相对的第二非限定面，第一限定面与第二限定面彼此对置； 金属密封圈结构，设置在第一限定面与第二限定面之间，密封圈结构、第一限定面和第二限定面限定容纳空间； MEMS器件，所述容纳空间适于容纳MEMS器件，所述MEMS器件包括输入端、输出端和至少一个接地端， 其中： 接地端、输入端和输出端中的一个端为与所述密封圈结构电连接的电连接端，以减小所述第一基底和所述第二基底之间的纵向电连接线路所带来的寄生电感。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人诺思(天津)微系统有限责任公司，其通讯地址为：300462 天津市滨海新区开发区西区新业五街27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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