中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金志勋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件互连的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011558182.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件互连的方法是由金志勋;高建峰;白国斌;刘卫兵设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件互连的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件互连的方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有存储单元、外围电路以及存储单元和外围电路之间的隔离介质区，存储单元上形成有多个接触塞，隔离介质区上形成有多个接触塞的残留物；在衬底上形成SiGeO复合氧化物牺牲层；光刻该SiGeO复合氧化物牺牲层，形成刻蚀窗口，刻蚀窗口对应隔离介质区，通过该刻蚀窗口去除残留物；去除剩余的SiGeO复合氧化物牺牲层；在衬底上形成金属布线，实现存储单元和外围电路的互连，进而采用该SiGeO复合氧化物牺牲层作为掩模层，在去除该掩膜层时，由于刻蚀速率比较快，不会影响到该掩膜层下方的结构，不会造成过刻蚀，保证半导体器件的稳定性。
本发明授权一种半导体器件互连的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件互连的方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有存储单元、外围电路以及所述存储单元和所述外围电路之间的隔离介质区，所述存储单元上形成有多个接触塞，所述隔离介质区上形成有所述多个接触塞的残留物； 在所述衬底上形成SiGeO复合氧化物牺牲层； 光刻所述SiGeO复合氧化物牺牲层，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口对应所述隔离介质区； 通过所述刻蚀窗口去除所述残留物； 去除所述SiGeO复合氧化物牺牲层； 在所述衬底上形成金属布线，实现所述存储单元和所述外围电路的互连。
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