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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210499134.7，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法是由刘伟;林锋杰;许艺军;邬新根;刘英策;崔恒平;蔡海防设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法，通过在外延叠层表面设置DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔；第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极；第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极。使LED芯片表面采用锡合金电极结构，实现了免锡膏封装方式，避免锡膏钢网印刷精度不高导致的连锡等异常问题；同时，避免了锡膏印刷情况下钢网精准控制等问题。

本发明授权基于锡合金电极应用的微发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于锡合金电极应用的微发光器件，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED阵列单元，其特征在于，所述LED阵列单元包括： 外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； DBR结构层，其包括沿所述外延叠层的表面依次层叠的DBR反射层和应力缓冲层，且所述DBR结构层具有第一通孔和第二通孔，且所述第二通孔裸露所述台面的部分表面，所述第一通孔裸露所述凹槽的部分表面； 第一电极，其沉积于所述第一通孔与所述第一型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面；且所述第一电极包括锡合金电极； 第二电极，其沉积于所述第二通孔与所述第二型半导体层电连接，并向上延伸至所述DBR结构层的表面，且所述第二电极包括锡合金电极，所述第二电极与所述第一电极相互远离设置； 其中，所述应力缓冲层包括有机硅弹性体，用于缓冲锡合金电极在高温回流时的应力挤压。

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