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龙图腾网获悉苏州英嘉通半导体有限公司申请的专利具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210794515.8，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法是由宁殿华;蒋胜;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间；栅极、源极和漏极，分别形成于栅极区域、源极区域和漏极区域中，栅极位于源极和漏极之间；若干场板，位于栅极和漏极之间的钝化层结构内部或上方，所述场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的金属块。本发明通过阵列场板的设置，可以均匀平衡尖峰电场，显著提高了器件的击穿电压及可靠性，且制备方法简单，无需对各层场板的宽度及高度进行细致优化。

本发明授权具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有阵列场板的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括： 衬底，所述衬底为硅衬底； 位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层； 钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间； 栅极、源极和漏极，分别形成于栅极区域、源极区域和漏极区域中，栅极位于源极和漏极之间； 若干场板，位于栅极和漏极之间的钝化层结构内部或上方，所述场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的金属块； 所述HEMT器件包括： 第一钝化层，位于异质结上，所述第一钝化层为氮化硅钝化层、氧化硅钝化层、氧化铝钝化层、氮化铝钝化层、氧化镓钝化层中的一种或多种的组合，厚度为20~200nm； P型半导体层，形成于异质结上的栅极区域内； 第二钝化层，位于第一钝化层上，所述第二钝化层为氮化硅钝化层、氧化硅钝化层中的一种或多种的组合，厚度为50~300nm； 第三钝化层及第一场板，位于第二钝化层上，第一场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的第一金属块，所述第三钝化层为氮化硅钝化层、氧化硅钝化层中的一种或多种的组合，厚度为50~300nm； 第四钝化层及第二场板，位于第三钝化层上，第二场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的第二金属块，所述第四钝化层为氮化硅钝化层、氧化硅钝化层中的一种或多种的组合，厚度为50~300nm； 第五钝化层及第三场板，位于第四钝化层上，第三场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的第三金属块，所述第五钝化层为聚酰亚胺钝化层，厚度为1~5μm； 当金属块沿第一方向阵列分布时： 所述第一金属块的厚度为70~400nm，宽度为500~1500nm，相邻金属块之间的间距为1~3μm，当第一场板为栅场板时，第一金属块与P型半导体层沿第一方向的最小距离为0，当第一场板为源场板或浮空场板时，第一金属块与P型半导体层沿第一方向的最小距离为500~1000nm； 所述第二金属块的厚度为50~200nm，第二金属块与第一金属块部分交叠设置，每个第二金属块与下方的一个第一金属块的交叠宽度为250~1000nm，未交叠宽度为500~1500nm，且与下方的另一个第一金属块间距为500~1500nm； 所述第三金属块的厚度为50~200nm，第三金属块与第一金属块及第二金属块部分交叠设置，每个第三金属块与下方的一个第二金属块及下方的第一金属块的交叠宽度为250~1000nm； 当金属块垂直于第一方向阵列分布时： 所述第一金属块的厚度为70~400nm，长度为3~15μm，宽度为500~1500nm，相邻金属块之间的间距为1~3μm，当第一场板为栅场板时，第一金属块与P型半导体层沿第一方向的最小距离为0，当第一场板为源场板或浮空场板时，第一金属块与P型半导体层沿第一方向的最小距离为500~1000nm； 所述第二金属块的厚度为50~200nm，长度为3~15μm，第二金属块与第一金属块部分交叠设置，每个第二金属块与下方的一个第一金属块的交叠宽度为250~1000nm，未交叠宽度为500~1500nm，且与下方的另一个第一金属块间距为500~1500nm； 所述第三金属块的厚度为50~200nm，长度为3~15μm，第三金属块与第一金属块及第二金属块部分交叠设置，每个第三金属块与下方的一个第二金属块及下方的第一金属块的交叠宽度为250~1000nm。

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