联华电子股份有限公司叶毓仁获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利非挥发存储器元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212028.1，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权非挥发存储器元件及其制作方法是由叶毓仁;陈志容设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本非挥发存储器元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发存储器元件及其制作方法，其中该非挥发存储器元件包括:半导体基材、第一浮置栅极、第一控制栅极、第一漏极区以及共用源极区。半导体基材具有一个凹室，由基材表面向下延伸。第一浮置栅极位于凹室中，具有一个基部以及连接基部的侧壁，且与半导体基材电性隔离。第一控制栅极邻接于第一浮置栅极上方，且分别与半导体基材和第一浮置栅极电性隔离。第一漏极区位于凹室中的半导体基材之中。共用源极区位于凹室中的半导体基材之中，邻接于第一浮置栅极，且包括:一个主体部以及一个延伸部。主体部位于凹室的底面下方，且邻接基部。延伸部由底面向上延伸，并超过基部，且邻接于侧壁。
本发明授权非挥发存储器元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种非挥发存储器元件，其特征在于，包括: 半导体基材，具有凹室，由基材表面向下延伸； 第一浮置栅极，位于该凹室中，具有基部以及连接该基部的侧壁，且与该半导体基材电性隔离； 第一控制栅极，邻接于该第一浮置栅极上方，且分别与该半导体基材和该第一浮置栅极电性隔离； 第一漏极区，位于该凹室中的该半导体基材之中；以及 共用源极区，位于该凹室中的该半导体基材之中，邻接于该第一浮置栅极，且包括: 主体部，位于该凹室的底面下方，且邻接该基部；以及 延伸部，由该底面向上延伸，并超过该基部，且邻接于该侧壁，其中该延伸部具有高于该主体部的掺杂浓度。
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