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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210576979.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由林志伟;尤翠萍;李艳;罗桂兰;陈凯轩设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括：衬底，外延结构，N型电极和N型电极扩展部分，P型电极和P型电极扩展部分；P型电极扩展部分为与P型电极连接的若干P型电极扩展条，各P型电极扩展条的宽度范围小于有源区发光波长，各P型电极扩展条形成相互交叉的网格，通过衍射效应可以使被P型电极扩展条遮挡住的光子绕过P型电极扩展条，然后通过网格缝隙出射，使P型电极扩展条相当于无遮挡出光，避免LED光的损耗；同时，网格覆盖在P型半导体层上的设置可以使注入的电流更均匀的分布于整个有源区；再者，有源区发光波长为λ，各网格缝隙的宽度范围在0至3λ之间，能最大程度提取有源区的光，进而提升LED芯片的亮度。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底; 设置在所述衬底表面的外延结构，所述外延结构包括：从下至上依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源区和P型半导体层；所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层，形成N型区台面，所述N型区台面设有N型电极和N型电极扩展部分，所述N型电极和所述N型电极扩展部分形成连接并与所述凹槽的侧壁距离设置；所述P型半导体层上设有P型电极和P型电极扩展部分； 其中，所述P型电极扩展部分为与所述P型电极连接的若干P型电极扩展条，各所述P型电极扩展条的宽度范围小于有源区发光波长，各所述P型电极扩展条形成相互交叉的网格，所述网格覆盖在所述P型半导体层上，镂空的网格缝隙显露所述P型半导体层； 所述有源区发光波长为λ，各所述网格缝隙的宽度范围在0至3λ之间； 所述N型电极扩展部分、所述P型电极扩展部分和所述外延结构的裸露面覆盖绝缘保护层，所述N型电极和所述N型电极扩展部分通过所述绝缘保护层与所述凹槽的侧壁绝缘设置； 所述P型电极扩展部分和所述缘保护层之间的距离范围小于有源区发光波长；各所述P型电极扩展条从底部至顶部的横向截面逐渐减小。

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