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龙图腾网获悉浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210641601.5，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺是由严立巍;文锺;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，先进行离子植入，再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成氮化硅侧壁。本发明提供的一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺通过在接触孔中填充氮氧化硅层再蚀刻的方式，可以在氮化硅侧壁的内部形成一层氮氧化硅侧壁，对原本处于氮化硅侧壁内部的接触孔开口进行微缩，使得接触孔开口微缩在氮氧化硅侧壁的内部，在晶圆上方所形成的接触孔开口更小，无需高精度的接触孔蚀刻设备即可获得更小的接触孔，有效的提升工艺精度。

本发明授权一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，先进行离子植入，再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成氮化硅侧壁，最后再次对晶圆上方进行蚀刻，使得晶圆上方形成沟槽； S2、对步骤S1中得到的晶圆进行氧化-蚀刻-再次氧化，在沟槽内壁形成闸极氧化硅层，然后在晶圆背面沉积多晶硅，再对多晶硅进行蚀刻，蚀刻掉位于沟槽外部的多晶硅，最后再在晶圆的背面采用化学气相沉积法沉积一层氮氧化硅； S3、对所述步骤S2中得到的晶圆背面通过化学沉积法在氮氧化硅上沉积一层氧化硅层，然后再采用CMP工艺使氧化硅层表面平坦化； S4、对所述步骤S3中得到的晶圆，对氧化硅层上方进行蚀刻，然后再依次蚀刻掉氧化硅层下方的氮氧化硅和氧化硅，在晶圆的背面形成接触孔； S5、对步骤S4中得到的晶圆，对晶圆表面位于接触孔下方的位置进行蚀刻，再采用离子植入法对晶圆表面位于接触孔下方的位置进行离子植入； S6、对步骤S5中得到的晶圆，对晶圆背面采用化学气相沉积法在氧化硅层上方沉积一层氮氧化硅层，然后再对氮氧化硅层进行蚀刻，蚀刻接触孔外部的氮氧化硅和接触孔内部的部分氮氧化硅层，在接触孔内部形成氮氧化硅侧壁，最后再在接触孔中填充金属； 在所述步骤S2中，第一次对晶圆进行氧化时，对晶圆背面进行整体氧化，第二次对晶圆进行氧化时，单独对沟槽内壁进行氧化以形成致密的闸极氧化硅层； 在所述步骤S2中，通过蚀刻去除沟槽外部的多晶硅时，首先采用CMP工艺使得多晶硅顶部平坦化，再进行蚀刻； 在所述步骤S2中，在晶圆背面沉积的多晶硅为含有杂质的多晶硅，以在沟槽内部形成晶体管。

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