南亚科技股份有限公司林熙翔获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利制造半导体结构的方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110817731.5，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权制造半导体结构的方法及半导体结构是由林熙翔设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体结构的方法及半导体结构在说明书摘要公布了：一种制造半导体结构的方法包括：在第一介电材料中形成第一开口；在第一开口中形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括铜和锰的第一晶种材料，其中第一晶种材料的锰在0.10at％至0.40at％的范围内；在第一晶种材料上形成第一导电材料；以及将第一晶种材料的至少一些锰移动到第一晶种材料与第一阻挡层之间的界面附近的位置。还提供另一种制造半导体结构的方法及一种半导体结构。该方法通过在第一阻挡层上形成包括铜和锰的第一晶种材料，以及将第一晶种材料的至少一些锰移动到第一晶种材料与第一阻挡层之间的界面附近的位置，以显著改善半导体结构的寿命。
本发明授权制造半导体结构的方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括： 在第一介电材料中形成第一开口； 在该第一开口中形成第一阻挡层； 在该第一阻挡层上形成包括铜和锰的第一晶种材料，且该第一晶种材料直接接触该第一阻挡层，并在该第一阻挡层的拐角附近的位置形成空隙，其中该第一晶种材料的该锰在0.10at%至0.40at%的范围内； 在该第一晶种材料上形成第一导电材料； 将该第一晶种材料的至少一些该锰移动到该第一晶种材料与该第一阻挡层之间的界面附近的位置；以及 将该第一晶种材料的至少另一些该锰移动到该空隙，包括形成填充该空隙的锰氧化物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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