上海华力微电子有限公司方兴获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210602438.1，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构及方法是由方兴;秋沉沉;钱俊;孙昌;魏峥颖设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构及方法，结构包括：位于切割道内的N型阱区；位于N型阱区内的浅沟槽隔离结构和N型漏区，N型漏区与浅沟槽隔离结构具有一定的距离，浅沟槽隔离结构的宽度满足设计的最小尺寸；位于浅沟槽隔离结构表面的栅氧化物层；位于栅氧化物层表面的栅极。方法包括：向浮栅施加第一电压，第一电压的值从低向高变化；向N型漏区施加第二电压，第一电压的值大于或等于第二电压的值；测试浅沟槽隔离结构的电容值，若值发生突变，则认为浅沟槽隔离结构具有缺陷。通过这种方法检测浅沟槽隔离结构是否具有缺陷，可以不会受到检测手法、检测机台的局限以及范围的影响，检测成本低，耗时短，灵敏度高。
本发明授权CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种CIS器件的浅沟槽隔离结构缺陷检测结构，其特征在于，包括： 位于切割道内的N型阱区； 位于所述N型阱区内的浅沟槽隔离结构和N型漏区，所述N型漏区与所述浅沟槽隔离结构在水平方向上具有一定的距离，所述浅沟槽隔离结构的宽度满足设计的最小尺寸； 位于所述浅沟槽隔离结构的表面的栅氧化物层；以及 位于所述栅氧化物层的表面的栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201315 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励