诺思(天津)微系统有限责任公司徐洋获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115140700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110343060.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备是由徐洋设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体组件的切割方法，包括：步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。
本发明授权半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体组件的切割方法，包括： 步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接； 步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层； 步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人诺思(天津)微系统有限责任公司，其通讯地址为：300462 天津市滨海新区开发区西区新业五街27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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