华灿光电(浙江)有限公司葛永晖获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210708221.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件是由葛永晖;陈张笑雄;肖云飞;陆香花;李鹏设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。
本发明授权HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种HEMT外延片，其特征在于，所述HEMT外延片包括： Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层， 所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度，所述预铺Al层为向反应腔中通入的Al源分解后在所述高温BP成核层的表面形成的Al薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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