成都集佳科技有限公司黄鸿阳获国家专利权
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龙图腾网获悉成都集佳科技有限公司申请的专利一种半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210802884.7，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种半导体封装结构是由黄鸿阳设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装结构在说明书摘要公布了：公开了一种半导体封装结构，包括：底板，底板包括基板以及位于基板上的第一导电层；框架，框架包括框架主体以及嵌于框架主体内部的第一嵌体，框架主体和第一嵌体均呈环状，第一嵌体暴露于框架主体的两个端面；以及顶盖，顶盖包括顶盖主体以及嵌于顶盖主体内部的第二嵌体，第二嵌体暴露于顶盖主体的第二表面；其中，第一嵌体在框架的第二端与基板上的第一导电层密封连接，第一嵌体在框架的第一端与顶盖的第二嵌体密封连接，基板、框架以及顶盖包围形成一个空腔。本发明的半导体封装结构包括底板、框架和顶盖，且框架的两端分别与底板以及顶盖经由焊接密封连接，以提高半导体封装结构的密封性，并且防止发生漏电以及击穿。
本发明授权一种半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 底板，所述底板包括基板以及位于所述基板上的第一导电层； 框架，所述框架包括框架主体以及嵌于所述框架主体内部的第一嵌体，所述框架主体和所述第一嵌体均呈环状，所述第一嵌体暴露于所述框架主体的两个端面；以及 顶盖，所述顶盖包括顶盖主体以及嵌于所述顶盖主体内部的第二嵌体，所述第二嵌体暴露于所述顶盖主体的第二表面； 其中，所述第一嵌体在所述框架的第二端与所述基板上的第一导电层密封连接，所述第一嵌体在所述框架的第一端与所述顶盖的第二嵌体密封连接，所述基板、所述框架以及所述顶盖包围形成一个空腔。
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