厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210342228.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片是由林志伟;蔡玉梅;崔恒平;陈凯轩;蔡建九设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
本发明授权一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 在所述衬底表面依次堆叠的缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层以及P型半导体层； 其中，所述第一N型半导体层包括沿第一方向非均匀n型掺杂的半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型半导体层； 所述半导体外延结构作为GaN系发光二极管的外延结构，则所述第二N型半导体层包括n型掺杂的GaN层，所述P型半导体层包括p型掺杂的GaN层； 所述缺陷阻隔层的Al组分大于所述电流阻挡层的Al组分； 所述第一N型半导体层两侧的n型掺杂浓度大于所述第一N型半导体层其他区域的n型掺杂浓度。
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