中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈晓军获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110523253.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈晓军;曾红林;冯霞;张冬生;殷霞革;吴家亨设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区和第二区，所述初始衬底包括第一基底、位于第一基底上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的第二基底；去除所述第二区的第二基底；在去除所述第二区的第二基底之后，在第二区的第一绝缘层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成若干无源器件；在形成无源器件之后，在第一区形成若干有源器件。通过将所述有源器件和所述无源器件形成在同一晶圆上，避免了采用封装集成的制程，有效降低了生产成本，同时使得最终形成的半导体结构厚度尺寸降低，有利于器件的小型化。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区和第二区，所述初始衬底包括第一基底、位于第一基底上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的第二基底； 去除所述第二区的第二基底； 在去除所述第二区的第二基底之后，在第二区的第一绝缘层上形成第二绝缘层； 在第二绝缘层上形成若干无源器件； 在形成无源器件之后，在第一区形成若干有源器件，所述无源器件的材料包括氮化硅，所述有源器件的材料包括硅；其中， 所述有源器件的形成方法包括：在形成所述无源器件之前，在所述第一区上形成若干器件结构，所述器件结构为无源器件； 在形成所述无源器件之后，对所述器件结构进行离子注入处理，使得所述器件结构形成所述有源器件，以避免形成所述无源器件过程中的退火处理将所述有源器件中注入的离子加热扩散，降低所述有源器件的性能。
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