电子科技大学邓小川获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种碳化硅IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211128014.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅IGBT器件及其制造方法是由邓小川;郭国强;成志杰;李旭;李轩;张波设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：发射极金属、发射极欧姆接触、P+接触区、N+接触区、P型基区、N型电荷存储层、P型屏蔽区、N型漂移区、N型缓冲层、P+衬底、集电极欧姆接触、集电极金属、多晶硅栅、栅介质、P型屏蔽区肖特基接触。本发明采用了沟槽碳化硅IGBT器件结构，沟槽底部的P型屏蔽区与肖特基接触电极连接。器件正向导通时，肖特基接触提高了P型屏蔽区的电势，从而抑制空穴被发射极收集，增强了漂移区的电导调制效应，降低了导通压降；器件关断时，P型屏蔽区能屏蔽槽栅倒角处的电场聚集，防止器件提前击穿；同时由于引入肖特基接触，减小了栅极面积，从而降低栅电荷，提高了开关速度，减少了关断损耗。
本发明授权一种碳化硅IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅IGBT器件，其特征在于包括： P+衬底10、位于P+衬底10上方的N型缓冲层9、位于N型缓冲层9上方的N型漂移区8、位于N型漂移区8上方的N型电荷存储层6、N型电荷存储层6上方的P型基区5，位于P型基区5上方的P+接触区3和N+接触区4，位于P型基区5之间的沟槽，沟槽内包括栅介质14、栅介质14内部的多晶硅栅13，沟槽中间底部设有P型屏蔽区7，P型屏蔽区7在顶部形成P型屏蔽区肖特基接触15，N+接触区4和P+接触区3上方形成发射极欧姆接触2，一部分发射极金属1淀积于发射极欧姆接触2上方，一部分发射极金属1淀积于P型屏蔽区肖特基接触15上方的栅介质14中间，P+衬底10下方形成集电极欧姆接触11，集电极欧姆接触11下方淀积集电极金属12。
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