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东南大学张辉获国家专利权

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龙图腾网获悉东南大学申请的专利声屏障降噪结构及其设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115440181B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210949693.3,技术领域涉及:G10K11/172;该发明授权声屏障降噪结构及其设计方法是由张辉;朱一凡;苏梓豪;罗志涛设计研发完成,并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

声屏障降噪结构及其设计方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种的声屏障降噪结构及其设计方法,包括:将所测噪声频谱的高频噪声的高频谷值确定为所述谐振单元的高频隔声量的谷值频率,将低频噪声的低频峰值确定为所述复合波导层的低频隔声量的峰值频率,根据低频峰值的个数确定亥姆霍兹腔的数量;根据谷值频率计算获得关于微穿孔板层的厚度、微穿孔板层上小孔的直径、中空腔体层的厚度及其横截面尺寸参数关系式,从而对相关参数进行优化选择;根据每个峰值频率分别计算获得关于相应亥姆霍兹腔的体积、以及其对应喉管的有效面积、横截面长度关系式,从而对有效面积进行优化选择。设计出的结构通过谐振系统控制高频噪声,利用复合波导层的亥姆霍兹腔控制低频噪声,实现大频率范围内的选择性隔声。

本发明授权声屏障降噪结构及其设计方法在权利要求书中公布了:1.一种声屏障降噪结构的设计方法,其特征在于,所述声屏障降噪结构包括消声单元,所述消声单元包括依次设置的微穿孔板层、中空腔体层和复合波导层,所述微穿孔板层上排布有若干上下贯穿的小孔,所述中空腔体层与微穿孔板层构成谐振单元,共同参与高频噪声的调节,所述复合波导层用于参与低频噪声调节,由声主波导和至少一个亥姆霍兹腔组成,声主波导和至少一个亥姆霍兹腔之间通过喉管相连通,所述喉管伸入至亥姆霍兹腔内,所述声主波导贯穿复合波导层,一端与所述中空腔体层连通,所述至少一个亥姆霍兹腔以所述声主波导为中心沿圆周方向分布; 所述设计方法,包括: 测量噪声频谱,将所测噪声频谱的高频噪声的高频谷值确定为由所述中空腔体层与所述微穿孔板层构成的所述谐振单元的高频隔声量的谷值频率,将所测噪声频谱的低频噪声的低频峰值确定为所述复合波导层的低频隔声量的峰值频率,并根据所述低频峰值的个数确定亥姆霍兹腔的数量; 根据所述谷值频率,计算获得关于微穿孔板层的厚度、微穿孔板层上小孔的直径、中空腔体层的厚度及其横截面尺寸参数的第一关系式,包括: 计算所述谷值频率对应的角频率ω,代入以下理论计算式获得第一关系式, 其中,t是微穿孔板层的厚度,dMPP是微穿孔板层的小孔的直径,ρ0是空气的密度,μ=1.983×10-5Pa*s是空气的粘滞系数,σ是微穿孔板层的孔隙率,c0是空气的声速,D是中空腔体层的厚度; 以所述第一关系式为约束,对所述微穿孔板层的厚度、微穿孔板层上小孔的直径、中空腔体层的厚度及其横截面尺寸参数进行优化选择; 根据每个所述峰值频率,分别计算获得关于相应亥姆霍兹腔的体积、以及其对应喉管的有效面积S、横截面长度L的第二关系式,以所述第二关系式为约束,对有效面积S进行优化选择,其中有效面积S为喉管所形成的扇形立方体外侧弧面的面积,横截面长度L=rneck-d2,rneck为喉管的极限半径,d为声主波导的直径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东南大学,其通讯地址为:210096 江苏省南京市江宁区东南大学路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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