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龙图腾网获悉无锡思泰迪半导体有限公司申请的专利一种CMOS温度传感器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115452186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211169862.8，技术领域涉及：G01K7/42；该发明授权一种CMOS温度传感器电路是由马辉;汪会俊;白月设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS温度传感器电路在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，具体为一种CMOS温度传感器电路，其能够保证宽温度范围的同时，降低功耗和成本，其包括：电流发生器，产生与温度成正比的电流，包括VDD、PMOS管PM1和PMOS管PM2；双向电流积分器，将电流做正向或负向的积分得到输出电压Vint；基准电压发生器，产生温度系统为0的基准电压VH和VL；双阈值比较器，将基准电压VH和VL分别与输出电压Vint进行比较，得到输出信号f。

本发明授权一种CMOS温度传感器电路在权利要求书中公布了：1.一种CMOS温度传感器电路，其特征在于，其包括： 电流发生器，产生与温度成正比的电流； 双向电流积分器，将电流做正向或负向的积分得到输出电压Vint； 基准电压发生器，产生温度系统为0的基准电压VH和VL； 双阈值比较器，将基准电压VH和VL分别与输出电压Vint进行比较，得到输出信号f； 所述电流发生器包括PMOS管PM1和PMOS管PM2，所述PMOS管PM2的漏极和栅极连相连并连接所述PMOS管PM1的栅极、NMOS管NM4的源端，所述PMOS管PM1的漏端连接所述NMOS管NM3的栅极和源极、NMOS管NM4的栅端，所述NMOS管NM3的漏端连接NMOS管NM1的栅极和源极、NMOS管NM2的栅极，所述NMOS管NM4的漏极连接所述NMOS管NM2的源极，所述NMOS管NM2的漏极连接电阻R一端，所述电阻R另一端和所述NMOS管NM1的漏极均接地，所述PMOS管PM1的源极和所述PMOS管PM2的源极均连接VDD，所述PMOS管PM2的漏极为所述电流发生器的电流输出端，产生的电流Ichagre为： 其中，μn为电子迁移率，Cox为栅极电容，W1L1为NMOS管NM1的宽长比，K为NMOS管NM2与NMOS管NM1的比例系数，对公式1进行对温度的一阶导数，则有： 其中，TCIcharge为电流Ichagre的温度系数，TCR为电阻R的温度系数，α和μ为常数，T0为室温； 所述双向电流积分器包括PMOS管PM3，所述PMOS管PM3的栅极接收所述电流发生器输出的电流、源极连接VDD、漏极连接PMOS管PM4的源极和PMOS管PM5的源极，所述PMOS管PM4的漏极连接NMOS管NM5的源极和栅极、NMOS管NM6的栅极，所述PMOS管PM5的漏极连接所述NMOS管NM6的源极和电容C一端，所述NMOS管NM6的漏极、NMOS管NM6的漏极、电容C另一端均接地，所述PMOS管PM5的漏端输出积分后的电压，所述PMOS管PM4的栅极和所述PMOS管PM5的栅极分别为反馈值接收端。

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