浙江富芯微电子科技有限公司林骞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江富芯微电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115627538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211066901.1，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片是由林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片。退火工艺包括以下步骤：S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值；S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550‑1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理；S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片。通过上述工序，不仅可以实现碳化硅片的退火，还可以有效抑制碳化硅片表面发生的碳化反应，确保退火出来之后的片子仍具有很好的质量。
本发明授权一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅二段退火工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；多个洗净烘干的碳化硅晶片以完全不重叠的方式平铺于所述石墨纸上； S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值； S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550-1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理； S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片。
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