买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211700475.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制备方法是由陈俊宏设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域上均形成有若干虚拟栅极，且虚拟栅极上形成有硬掩模层；形成第二氮化层顺形地覆盖第一区域和第二区域；光刻打开第二区域；刻蚀去除第二区域上的第一氧化层顶部的第二氮化层及其侧壁的部分第二氮化层；刻蚀去除第一区域上的第一氧化层顶部和侧壁的第二氮化层及第二区域上的第一氧化层侧壁的剩余第二氮化层；形成第二氧化层覆盖第一区域和第二区域；以及，执行研磨工艺显露出虚拟栅极。本发明使得研磨工艺后虚拟栅极上不存在残留的硬掩模层，利于后续工艺的进行，消除工艺缺陷,同时提高工艺参数的全局均匀性。

本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域上均形成有若干虚拟栅极，所述第一区域上的虚拟栅极的宽度小于所述第二区域上的虚拟栅极的宽度，且所述虚拟栅极上形成有硬掩模层，所述硬掩模层包括依次位于所述虚拟栅极上的第一氮化层和第一氧化层，所述第一区域上的第一氧化层的厚度小于所述第二区域上的第一氧化层的厚度； 形成第二氮化层顺形地覆盖所述第一区域和所述第二区域； 形成图形化的光刻胶层覆盖所述第一区域和所述第二区域，以显露出所述第二区域上的虚拟栅极上的第二氮化层； 以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀去除所述第二区域上的第一氧化层顶部的第二氮化层及其侧壁的部分第二氮化层； 刻蚀去除所述第一区域上的第一氧化层顶部和侧壁的第二氮化层及所述第二区域上的第一氧化层侧壁的剩余第二氮化层； 形成第二氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域，且覆盖至所述第一氧化层的上方，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材质相同；以及， 执行研磨工艺研磨所述第二氧化层、所述第一氧化层及所述第一氮化层至显露出所述虚拟栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，其通讯地址为：201807 上海市嘉定区娄陆公路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。