天狼芯半导体(成都)有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211413090.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备是由刘涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：一种碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括外延层、沟道层、有源层、栅极结构、P型半导体柱以及P型柱；沟道层设置于外延层的上表面；有源层设置于沟道层的上表面；栅极结构从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；P型半导体柱位于栅极结构下表面；P型柱位于沟道层下表面且距离栅极结构预设距离；其中，P型半导体柱的上表面的横截面积大于P型半导体柱的下表面的横截面积；P型柱的上表面的横截面积大于P型柱的下表面的横截面积；提高了碳化硅MOSFET的短路耐量并减小了导通电阻。
本发明授权碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET的结构，其特征在于，包括： 外延层； 设置于所述外延层的上表面的沟道层； 设置于所述沟道层的上表面的有源层； 从所述有源层的上表面纵向向下穿过所述有源层和所述沟道层的栅极结构； 位于所述栅极结构下表面的P型半导体柱； 位于所述沟道层下表面且距离所述栅极结构预设距离的P型柱； 其中，所述P型半导体柱的上表面的横截面积大于所述P型半导体柱的下表面的横截面积；所述P型柱的上表面的横截面积大于所述P型柱的下表面的横截面积； 所述P型半导体柱的侧面为阶梯状或斜面；所述P型柱的侧面为阶梯状或斜面； 电子流入到在所述外延层、所述沟道层和所述栅极结构的交界区域时，会被斜面或阶梯状的侧面所挤压，快速位移至所述外延层的下方，使得电子不至于过于在上述交界区域集中而导致热效应。
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