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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利用于等离子体半导体处理的多层聚焦环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117561585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280035387.7，技术领域涉及：H01J37/21；该发明授权用于等离子体半导体处理的多层聚焦环是由彭宇霖;赵晋荣设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于等离子体半导体处理的多层聚焦环在说明书摘要公布了：本发明总体涉及等离子体半导体处理以及相关的部件和工具。在示例中，聚焦环包括第一环形层和第二环形层。第二环形层的上表面构造成通过第一环形层的下表面接触该上表面来支撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期性结构，并且具有相同的周期长度。下表面和上表面中的至少一个包括第一突出径向线PRL、第二PRL和布置在第一PRL和第二PRL之间的凹入径向线RRL。周期长度为从第一PRL至第二PRL。下表面和或上表面从第一PRL到RRL是连续的，并且下表面和或上表面从RRL到第二PRL的是连续的。第二环形层相对于第一环形层可旋转地移动。

本发明授权用于等离子体半导体处理的多层聚焦环在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体处理的部件，所述部件包括： 聚焦环，其构造成在等离子体半导体处理期间横向环绕半导体基板，所述聚焦环包括： 第一环形层，其具有下表面；以及 第二环形层，其具有上表面，所述上表面构造成通过所述下表面接触所述上表面来支撑所述第一环形层，其中： 所述下表面和所述上表面各自表面的形状在周向上呈周期性结构； 所述下表面和所述上表面在距所述聚焦环的中心相同的第一径向距离处具有相同的周期长度； 所述下表面和所述上表面中的至少一个包括第一突出径向线、第一凹入径向线和第二突出径向线，所述第一凹入径向线横向地布置在所述第一突出径向线和所述第二突出径向线之间； 在所述第一径向距离处的所述周期长度为从所述第一突出径向线到所述第二突出径向线； 所述下表面和所述上表面中的所述至少一个从所述第一突出径向线到所述第一凹入径向线是连续的； 所述下表面和所述上表面中的所述至少一个从所述第一凹入径向线到所述第二突出径向线是连续的；并且 在所述上表面支撑所述第一环形层的同时，所述第二环形层相对于所述第一环形层横向地、可旋转地移动。

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