芯嵛半导体(上海)有限公司王辉获国家专利权
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龙图腾网获悉芯嵛半导体(上海)有限公司申请的专利一种多片晶圆同时注入的离子注入系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223828417U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520116765.5,技术领域涉及:H01J37/317;该实用新型一种多片晶圆同时注入的离子注入系统是由王辉;蔡霆;包峰峰;邝斌;陈炯设计研发完成,并于2025-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多片晶圆同时注入的离子注入系统在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种多片晶圆同时注入的离子注入系统,属于半导体制造技术领域,其包括有依次相连接的装载腔体、真空传输腔体和工艺腔体,工艺腔体中设置有扫描机器人;扫描机器人包括有依次相连接的扫描连接座、扫描移动机构和扫描翻转部;扫描翻转部可转动地连接在扫描移动机构上,在扫描翻转部上排布设置有两个以上的靶盘,两个以上的靶盘位于扫描翻转部的转动轴线的同一侧。本实用新型能够同时固持多片晶圆进行扫描注入,对不同靶盘进行取放晶圆以及在系统中传输晶圆的过程能够存在时间上的重叠,因此整体上缩短了离子注入的总时间;并且不会影响工艺结果及设备安全可靠运行,具有极高的应用价值。
本实用新型一种多片晶圆同时注入的离子注入系统在权利要求书中公布了:1.一种多片晶圆同时注入的离子注入系统,其特征在于,包括有依次相连接的装载腔体2、真空传输腔体3和工艺腔体4,工艺腔体4中设置有扫描机器人1;扫描机器人1包括有依次相连接的扫描连接座11、扫描移动机构12和扫描翻转部13;扫描翻转部13可转动地连接在扫描移动机构12上,在扫描翻转部13上排布设置有两个以上的靶盘14,两个以上的靶盘14位于扫描翻转部13的转动轴线的同一侧。
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