合肥晶合集成电路股份有限公司焦成获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利离子源腔体结构、离子源和离子注入机获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829496U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520030748.X，技术领域涉及：H05H1/48；该实用新型离子源腔体结构、离子源和离子注入机是由焦成;陈品杉;陈晓红;姚鑫;李杜武设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子源腔体结构、离子源和离子注入机在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种离子源腔体结构、离子源和离子注入机，该腔体结构包括第一电弧室、第二电弧室、第一阴极单元、第二阴极单元和开关；第一电弧室的远离第二电弧室的一端设有进气口，第二电弧室的远离第一电弧室的一端设有离子引出口；第一阴极单元设置于第一电弧室的一侧，且第一阴极单元与第一电弧室彼此电绝缘；开关与第一阴极单元串联连接；第二阴极单元设置于第二电弧室的一侧，且第二阴极单元与第二电弧室彼此电绝缘。本实用新型可以有效提高气体解离效率，从而可以有效提高离子束流大小，减少机台跑货时的整体工艺循环时间，提高机台的生产效率。
本实用新型离子源腔体结构、离子源和离子注入机在权利要求书中公布了：1.一种离子源腔体结构，其特征在于，包括第一电弧室、第二电弧室、第一阴极单元、第二阴极单元和开关； 所述第一电弧室的远离所述第二电弧室的一端设有进气口，所述第二电弧室的远离所述第一电弧室的一端设有离子引出口； 所述第一阴极单元设置于所述第一电弧室的一侧，且所述第一阴极单元与所述第一电弧室彼此电绝缘； 所述开关与所述第一阴极单元串联连接； 所述第二阴极单元设置于所述第二电弧室的一侧，且所述第二阴极单元与所述第二电弧室彼此电绝缘。
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