盛世鲲鹏智航(广东)控股有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉盛世鲲鹏智航(广东)控股有限公司申请的专利一种MOSFET散热结构及电路板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829508U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520369102.4，技术领域涉及：H05K1/02；该实用新型一种MOSFET散热结构及电路板是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET散热结构及电路板在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MOSFET散热结构及电路板。其中，MOSFET散热结构包括设置于电路板上的MOSFET芯片；所述MOSFET散热结构还包括金属片组件以及一个或多个导热件，所述金属片组件包括顶部金属片和底部金属片；所述MOSFET芯片具有顶部散热窗口；所述顶部金属片与所述顶部散热窗口精密贴合形成顶部散热路径以将MOSFET内部产生的热量自顶部散热路径散热；所述MOSFET芯片的底部贴近电路板顶部地设置，所述底部金属片贴近电路板的底部地设置，所述MOSFET芯片的底部与所述底部金属片之间由所述导热件热传递地连接形成底部散热路径；所述顶部金属片与底部金属片之间相互连接以形成完整的散热路径。本申请的MOSFET散热结构能显著降低热阻，提升散热效率；增强过流能力，适用于高功率场景。
本实用新型一种MOSFET散热结构及电路板在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET散热结构，包括设置于电路板上的MOSFET芯片；其特征在于：所述MOSFET散热结构还包括金属片组件以及一个或多个导热件，所述金属片组件包括顶部金属片和底部金属片；所述MOSFET芯片具有顶部散热窗口；所述顶部金属片与所述顶部散热窗口精密贴合形成顶部散热路径以将MOSFET内部产生的热量自顶部散热路径散热；所述MOSFET芯片的底部贴近电路板顶部地设置，所述底部金属片贴近电路板的底部地设置，所述MOSFET芯片的底部与所述底部金属片之间由所述导热件热传递地连接形成底部散热路径；所述顶部金属片与底部金属片之间相互连接以形成完整的散热路径。
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