长电微电子(江阴)有限公司何申伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利三维堆叠封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223829696U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520169059.7,技术领域涉及:H10B80/00;该实用新型三维堆叠封装结构是由何申伟;李洁;郭良奎;李宗怿;郦文杰;周青云设计研发完成,并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维堆叠封装结构在说明书摘要公布了:本申请公开了一种三维堆叠封装结构,包括:底部芯片;位于底部芯片的第一有源面上的核心芯片组;位于核心芯片组顶部表面上的顶部芯片组,核心芯片组包括沿垂直于底部芯片的第一有源面的方向上依次堆叠的若干混合键合单元,每一个混合键合单元中包括有源面相对混合键合在一起的两个核心芯片,底部芯片与核心芯片组中最底层的混合键合单元的一个核心芯片混合键合在一起,顶部芯片组包括有源面相对混合键合在一起的两个顶部芯片,顶部芯片组中的一个顶部芯片与核心芯片组中最顶层的混合键合单元的一个核心芯片混合键合在一起,通过这种混合键合的方式,极大的减小了芯片之间的互连间距,因而可以堆叠更多层数的芯片。
本实用新型三维堆叠封装结构在权利要求书中公布了:1.一种三维堆叠封装结构,其特征在于,包括: 底部芯片,所述底部芯片包括相对的第一有源面和第一背面,所述第一有源面上具有第一混合键合层; 位于所述底部芯片的第一有源面上的核心芯片组,所述核心芯片组包括沿垂直于所述底部芯片的第一有源面的方向上依次堆叠的若干混合键合单元,每一个所述混合键合单元包括有源面相对键合在一起的两个核心芯片,每一个所述核心芯片包括相对的第二有源面和第二背面,所述第二有源面上具有第二混合键合层,所述第二背面上具有第三混合键合层,每一个所述混合键合单元中两个所述核心芯片的第二有源面的第二混合键合层相应键合在一起,且所述核心芯片组中上层的混合键合单元中的一个核心芯片的第二背面的第三混合键合层与下层混合键合单元中的一个核心芯片的第二背面的对应的第三混合键合层键合在一起,所述核心芯片组中最底层的混合键合单元的一个核心芯片的第二背面的第三混合键合层与所述底部芯片的第一有源面的第一混合键合层键合在一起; 位于所述核心芯片组顶部表面上的顶部芯片组,所述顶部芯片组包括有源面相对键合在一起的两个顶部芯片,两个所述顶部芯片均包括相对的第三有源面和第三背面,两个所述顶部芯片的第三有源面上均具有第四混合键合层,其中一个顶部芯片的第三背面上具有第五混合键合层,所述顶部芯片组两个顶部芯片的第三有源面的第四混合键合层相应键合在一起,且顶部芯片组中其中一个顶部芯片的第三背面的第五混合键合层与所述核心芯片组的最顶层的混合键合单元中的一个核心芯片的第二背面的第三混合键合层键合在一起。
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