厦门未来显示技术研究院有限公司段其涛获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种具有叠层的Micro-LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829721U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422720867.6，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型一种具有叠层的Micro-LED芯片是由段其涛;江晟权;王乐;江方;艾国齐;柯志杰设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有叠层的Micro-LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片，通过至少一相邻两个发光结构的P型半导体层形成电互连，利用两P型半导体层之间的折射率差小于P型半导体层和N型半导体层之间的折射率，可很好地减小光子反射现象，减少光子在LED芯片内部的损失，提高LED的发光效率，从而产生更多的光输出；同时，通过相邻两个发光结构的P型半导体层形成电互连取代了上下两层发光结构之间的隔绝设置，消除了因绝缘材料散热性差所引发的芯片热效应的影响。
本实用新型一种具有叠层的Micro-LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，包括： 叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的若干个发光结构；其中，各所述发光结构分别包括N型半导体层、有源层以及P型半导体层，且至少一相邻两个发光结构的P型半导体层形成电互连； 电极组，所述电极组包括若干个第一极性电极和至少一通过贯穿孔嵌入所述叠层结构内部的第二极性互连电极； 其中，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的P型半导体层，则各所述发光结构的N型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极； 或，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的N型半导体层，则各所述发光结构的P型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极。
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