苏州华镁忆芯半导体有限公司钱鑫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州华镁忆芯半导体有限公司申请的专利一种带有保护结构的MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829824U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520039042.X，技术领域涉及：H10W40/25；该实用新型一种带有保护结构的MOSFET器件是由钱鑫设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有保护结构的MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型主要涉及MOSFET器件技术领域，具体涉及一种带有保护结构的MOSFET器件，包括MOSFET主板，MOSFET主板封装在封装壳内，封装壳内设置有金属保护层，且顶部开设有多个均匀分布的第一散热口，金属保护层底部与MOSFET主板顶部之间设置有导热凝胶；MOSFET主板的引脚延伸至封装在封装壳外侧，并套接有保护壳，保护壳包括第一壳体和第二壳体，第一壳体的一端与封装壳外侧固定连接，另一端开设有环形插槽，第二壳体插接在环形插槽内，并通过第一壳体上设置的限位机构锁止。第一壳体和第二壳体能够对MOSFET主板的引脚进行保护，避免在运输过程在弯曲，影响后续焊接效果，在焊接时，将第二壳体往环形插槽内部推动，直至将引脚漏出适合焊接的长度后通过限位机构锁止即可。
本实用新型一种带有保护结构的MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种带有保护结构的MOSFET器件，包括MOSFET主板1，其特征在于：所述MOSFET主板1封装在封装壳2内，所述封装壳2内设置有金属保护层4，且顶部开设有多个均匀分布的第一散热口21，所述金属保护层4底部与MOSFET主板1顶部之间设置有导热凝胶5； 所述MOSFET主板1的引脚延伸至封装在封装壳2外侧，并套接有保护壳3，所述保护壳3包括第一壳体31和第二壳体32，所述第一壳体31的一端与封装壳2外侧固定连接，另一端开设有环形插槽311，所述第二壳体32插接在环形插槽311内，并通过第一壳体31上设置的限位机构33锁止。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华镁忆芯半导体有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港保税区滨江大厦A座202-30室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励