无锡龙夏微电子有限公司赖海波获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡龙夏微电子有限公司申请的专利一种集成沟槽肖特基的MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829849U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520194170.1，技术领域涉及：H10W76/12；该实用新型一种集成沟槽肖特基的MOSFET是由赖海波;朱开兴;廖伟鹏设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成沟槽肖特基的MOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种集成沟槽肖特基的MOSFET，包括装置本体，所述装置本体内包含有下壳体，所述下壳体前端设有上盖壳，所述下壳体和上盖壳内均开设有安装槽，所述安装槽内安装有芯片，所述芯片下方连接有对接扣，所述对接扣上卡接有L扣槽，所述L扣槽和对接扣内均开设有螺孔且L扣槽下方连接有引脚，所述螺孔内螺接螺栓，所述下壳体外侧壁上安装有连接扣，所述上盖壳内固定设有转轴，所述下壳体内开设有卡槽，所述卡槽内活动卡接有卡扣，能够对装置外壳进行翻转拆卸，方便使用者对装置内部进行检修和维护，使得更换过程更加简单快捷，提高了装置的灵活性和便利性，避免了传统外壳拆卸需要逐一拆卸螺丝而需要花费较多时间的问题。
本实用新型一种集成沟槽肖特基的MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种集成沟槽肖特基的MOSFET，其特征在于，包括装置本体1，所述装置本体1内包含有下壳体2，所述下壳体2前端设有上盖壳3，所述下壳体2和上盖壳3内均开设有安装槽9，所述安装槽9内安装有芯片10，所述芯片10下方连接有对接扣11，所述对接扣11上卡接有L扣槽12，所述L扣槽12和对接扣11内均开设有螺孔13且L扣槽12下方连接有引脚17，所述螺孔13内螺接螺栓16，所述下壳体2外侧壁上安装有连接扣5，所述上盖壳3内固定设有转轴4。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡龙夏微电子有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼1003；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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