三星电子株式会社成晧准获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010757644.0，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权非易失性存储器装置是由成晧准;郑煐陈;朴凤泰设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种具有改进的操作性能和可靠性的非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：衬底；衬底上的外围电路结构；模塑结构，其包括交替地堆叠在外围电路结构上的多个绝缘图案和多个栅电极；沟道结构，其穿过模塑结构；第一杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第一部分接触，并且具有第一导电类型；以及第二杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第二部分接触，并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型。
本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 衬底； 所述衬底上的外围电路结构； 模塑结构，其包括交替地堆叠在所述外围电路结构上的多个绝缘图案和多个栅电极； 沟道结构，其穿过所述模塑结构； 第一杂质图案，其在所述模塑结构上与所述沟道结构的第一部分接触，并且具有第一导电类型； 第二杂质图案，其在所述模塑结构上与所述沟道结构的第二部分接触，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；以及 分离图案，其在所述模塑结构上与所述沟道结构的位于所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分接触，并且将所述第一杂质图案和所述第二杂质图案分离， 其中，所述分离图案与所述第一杂质图案和所述第二杂质图案接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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