三星电子株式会社李学承获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010799661.0，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法是由李学承;李镐珍;林东灿;金镇南;文光辰设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法。一种削角蚀刻装置包括：配置为接收衬底的卡盘板；围绕卡盘板的周边的下等离子体隔离区PEZ环；在卡盘板上的盖板；以及围绕盖板的周边的上PEZ环。下PEZ环包括环基部和从环基部的边缘向上延伸并围绕衬底的侧壁的下部的突起。
本发明授权削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种削角蚀刻装置，包括： 卡盘板，配置为接收衬底； 下等离子体隔离区PEZ环，围绕所述卡盘板的周边； 盖板，在所述卡盘板上；以及 上PEZ环，围绕所述盖板的周边， 其中所述下PEZ环包括： 环基部，配置为支撑所述衬底的底表面的边缘；和 突起，从所述环基部的边缘向上延伸以围绕所述衬底的侧壁的下部， 其中所述突起具有比所述上PEZ环的外径大的内径， 其中所述突起具有从所述环基部的顶表面起的745μm至772μm的高度， 其中所述上PEZ环的上表面与所述盖板的上表面共面， 其中所述下PEZ环的下表面与所述卡盘板的下表面共面， 其中所述削角蚀刻装置还包括偏置电极，所述偏置电极包括下电极和在所述下电极之上的上电极， 其中所述下电极的上表面在所述卡盘板的所述下表面和所述下PEZ环的所述下表面之下，并与所述下PEZ环间隔开，和 其中所述上电极的下表面在所述盖板的所述上表面和所述上PEZ环的所述上表面之上，并与所述上PEZ环间隔开。
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