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龙图腾网获悉杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110374042.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由隋晓明;杨彦涛;陈琛;曹俊;楚婉怡设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于所述衬底上方的介质层，所述介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述介质层；位于所述介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔；位于所述元胞区金属电极和终端区金属电极上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述介质层。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构； 位于所述衬底上方的介质层，所述介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述介质层； 位于所述介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔； 位于所述元胞区金属电极和终端区金属电极上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述介质层；阻挡层，所述阻挡层位于所述介质层和所述钝化层之间，所述阻挡层覆盖所述介质层，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述阻挡层，所述半导体器件包括划片道区域，所述钝化层暴露出所述划片道区域的部分所述阻挡层，所述钝化层暴露出的所述划片道区域的部分所述阻挡层作为划片道打开窗口； 其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第一钝化层的厚度包括50Å至5000Å，所述第二钝化层的材料包括聚酰亚胺，所述第二钝化层的厚度包括2至15um，所述阻挡层的厚度包括50Å至2000Å， 金属电极与所述阻挡层的刻蚀选择比高于金属电极与所述介质层的刻蚀选择比，所述钝化层与所述阻挡层的刻蚀选择比高于所述钝化层与所述介质层的刻蚀选择比， 所述终端区金属电极的侧壁与所述划片道区域的侧壁之间的距离大于等于30um；所述终端区金属电极的侧壁与所述第一钝化层的侧壁之间的距离大于等于5um。

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