南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110598012.9，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体元件及其制备方法是由黄则尧;施信益设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一晶粒、一第一导电特征、一第二晶粒、一第一遮罩层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一晶粒中；该第二晶粒位在该第一晶粒上；该第一遮罩层位在该第二晶粒上；所述导电填充层位在沿着该第一遮罩层与该第二晶粒处，并延伸到第一晶粒，且接触该第一导电特征；所述绝缘层位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第二晶粒之间；所述保护层位在该导电填充层与该第一遮罩层之间，并覆盖所述绝缘层的各上部。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一晶粒； 一第一导电特征，位在该第一晶粒中； 一第二晶粒，位在该第一晶粒上； 一第一遮罩层，位在该第二晶粒上； 一导电填充层，位在沿着该第一遮罩层以及该第二晶粒处，延伸到该第一晶粒并接触该第一导电特征； 多个绝缘层，位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第二晶粒之间；以及 多个保护层，位在该导电填充层与该第一遮罩层之间，并覆盖所述绝缘层的上部，在该第一遮罩层与所述保护层之间的多个界面是呈锥形，其中，所述绝缘层的最高点位在一垂直位面，是齐平于该第一遮罩层的一下表面的一垂直位面，其中，位在所述保护层与该导电填充层之间的多个界面是大致呈垂直，该导电填充层的形状在该多个保护层处变窄。
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