京东方科技集团股份有限公司刘浩获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板、其纹路识别方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111254067.4，技术领域涉及：H10K59/40；该发明授权显示基板、其纹路识别方法及显示装置是由刘浩;宋尊庆;卢江楠;李栋;张慧娟;刘利宾;刘政;单真真设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板、其纹路识别方法及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供的显示基板、其纹路识别方法及显示装置，包括衬底基板；多个像素驱动电路，在衬底基板上呈阵列排布；多个纹路识别电路，纹路识别电路位于像素驱动电路的间隙处；纹路识别电路包括光敏晶体管，光敏晶体管的有源层位于光敏晶体管的栅极远离衬底基板的一侧，光敏晶体管的第一极和第二极位于光敏晶体管的有源层远离衬底基板的一侧。
本发明授权显示基板、其纹路识别方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 多个像素驱动电路，在所述衬底基板上呈阵列排布；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管、开关晶体管和存储电容；其中，所述驱动晶体管具有低温多晶硅有源层，所述开关晶体管具有氧化物有源层，所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容的第二电极板同层设置，所述驱动晶体管的低温多晶硅有源层位于所述驱动晶体管的栅极所在层与所述衬底基板之间，所述驱动晶体管的第一极和第二极与所述开关晶体管的第一极和第二极同层设置； 多个纹路识别电路，所述纹路识别电路位于所述像素驱动电路的间隙处；所述纹路识别电路包括光敏晶体管，所述光敏晶体管的有源层位于所述光敏晶体管的栅极远离所述衬底基板的一侧，所述光敏晶体管的第一极和第二极位于所述光敏晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧，所述光敏晶体管具有氧化物有源层，且所述光敏晶体管的氧化物有源层与所述开关晶体管的氧化物有源层异层设置； 还包括：第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层位于所述光敏晶体管的栅极所在层与所述光敏晶体管的氧化物有源层之间，所述第二绝缘层位于所述光敏晶体管的氧化物有源层与所述开关晶体管的氧化物有源层之间，所述第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层的厚度。
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