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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111164189.4，技术领域涉及：H10P14/694；该发明授权一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法是由李传皓;李忠辉;彭大青设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生长六方氮化硼材料，同时引入表面活性剂，改善材料表面形貌；材料生长结束后采用离位退火技术，对六方氮化硼材料进行重结晶。本方法能够实现表面平整、晶体质量较高的六方氮化硼材料，促进氮化硼基深紫外光电器件、范德华异质结等新型器件性能的提升。

本发明授权一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选取单晶衬底，置于金属有机物化学气相沉积材料生长的设备内基座上； 步骤2：设置反应室压力50～100torr，通入H2，系统升温至1000～1100℃，在H2气氛下烘烤衬底5～15分钟，去除表面沾污； 步骤3：在H2气氛下反应室升温至1100～1300℃，压力升至P1，通入NH3，使NH3流量占反应室总气流量的比重为2～20％，对衬底表面进行氮化处理，持续时间10～30分钟，在单晶衬底表面形成了一薄层非晶氮化层； 步骤4：保持反应室温度不变，在H2和NH3气氛下将反应室压力降至P2；气流稳定后，持续通入流量为F的铟源，在关闭NH3的同时通入金属有机硼源，持续供硼3～12秒；然后关闭硼源的同时通入NH3，持续供氨3～12秒；重复进行硼源和氨源的分时输运工艺，生长厚度为1～100nm的六方氮化硼材料，之后关闭铟源和硼源；在六方氮化硼材料生长期间，通过调整硼源和NH3的流量，使NH3和硼源的摩尔比值达到N； 步骤5：六方氮化硼材料外延生长完成后，在H2和NH3气氛中降温，取出后放置于射频加热炉的设备内基座上； 步骤6：设置射频加热炉压力50～200torr，通入N2或者Ar，系统升温至T，对六方氮化硼材料进行退火重结晶，退火持续时间为15～40分钟； 步骤7：在N2或Ar气氛中降温，最后取出六方氮化硼材料。

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