上海华力微电子有限公司陈敏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265246.8，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法是由陈敏杰;许进;唐在峰;任昱设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法在说明书摘要公布了：一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括：步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成；步骤S2：进行聚合物沉积；步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶硅关键尺寸之器件。本发明通过在已完成多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的半导体器件进行聚合物沉积，增大硬掩膜的关键尺寸，在不改变多晶硅薄膜之图案的情况下，进而可有效的改善多晶硅关键尺寸减小的问题，提高产品良率，降低生产成本。
本发明授权一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法在权利要求书中公布了：1.一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，其特征在于，所述减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括： 执行步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且所述半导体器件之多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成； 执行步骤S2：对已完成所述多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的半导体器件进行聚合物沉积，所述聚合物沉积在硬掩膜之侧壁和顶部，沉积在所述硬掩膜之侧壁的聚合物之厚度为0.4～0.6nm； 执行步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶硅关键尺寸之器件。
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