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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111357336.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及晶体管是由中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士设计研发完成，并于2017-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及晶体管在说明书摘要公布了：在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括玻璃衬底和沟道蚀刻型晶体管的半导体装置。沟道蚀刻型晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第三绝缘膜、像素电极以及包含铜的导电膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含第一元素，第一导电膜及第三导电膜包含相同的第二元素，氧化物半导体膜包含铟、镓和锌。

本发明授权半导体装置以及晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 玻璃衬底； 沟道蚀刻型晶体管， 包括： 在所述玻璃衬底上并与其接触的栅电极； 在所述栅电极的侧面上并与其接触的第一绝缘膜； 所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜； 包括夹着所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜； 在所述氧化物半导体膜上并与其电连接的源电极； 在所述氧化物半导体膜上并与其电连接的漏电极；以及 所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第三绝缘膜； 与所述源电极和所述漏电极中的一个电连接的像素电极；以及 包含铜的导电膜，所述导电膜与所述氧化物半导体膜的沟道形成区域、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的另一个重叠， 其中所述源电极及所述漏电极都包括第一导电膜、在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在所述第二导电膜上并与其接触的第三导电膜， 其中所述第二导电膜包含第一元素，所述第一元素是铜， 其中所述第一导电膜及所述第三导电膜包含钛、钨、钽和钼中的至少一个， 其中所述氧化物半导体膜包含铟、镓和锌， 其中所述第一导电膜的端部包括比所述第二导电膜的端部和所述第三导电膜的端部的区域突出得更远的区域， 并且，所述栅电极的与所述源电极重叠的区域和所述栅电极的与所述漏电极重叠的区域的面积总和大于所述栅电极的与所述沟道形成区域重叠的区域的面积。

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