格芯新加坡私人有限公司黎佳俊获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利电阻式随机存取存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110987309.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻式随机存取存储器器件是由黎佳俊;卓荣发;陈学深设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储器器件在说明书摘要公布了：本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取ReRAM存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：具有开口的电介质层；沿着开口的侧壁；位于开口中的第一电极；设置在第一电极上的电阻层；设置在电阻层上的氧清除层；以及与氧清除层接触的第二电极。氧清除层包括与电阻层不同并且部分地覆盖电阻层的材料。第一电极通过氧清除层和电阻层电连接到第二电极。
本发明授权电阻式随机存取存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 具有开口的电介质层； 位于所述开口中的第一电极； 设置在所述第一电极上的电阻层； 设置在所述电阻层上的第一氧清除层，其中所述第一氧清除层包括与所述电阻层不同的材料，并且其中所述第一氧清除层仅部分地覆盖所述电阻层的顶表面；以及 与所述第一氧清除层接触的第二电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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