力晶积成电子制造股份有限公司陈诗尧获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利改善芯片翘曲的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110458322.0，技术领域涉及：H10W20/46；该发明授权改善芯片翘曲的方法是由陈诗尧;彭国光;巫敏裘;林孝于设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善芯片翘曲的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善芯片翘曲的方法，其步骤包含提供一基底，该基底上形成有多个金属互连线、使用高密度等离子体化学气相沉积制作工艺在该基底与该些金属互连线上形成一介电层，其中该介电层的表面高于该些金属互连线的顶面、进行一化学机械平坦化制作工艺平坦化该介电层，平坦化后的该介电层的表面高于该些金属互连线的顶面、以及在该介电层上形成一第一高应力四乙氧基硅烷层。
本发明授权改善芯片翘曲的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善芯片翘曲的方法，包含： 提供基底，该基底上形成有多个金属互连线； 使用高密度等离子体化学气相沉积制作工艺在该基底与该些金属互连线上形成介电层，其中该介电层的表面高于该些金属互连线的顶面； 进行化学机械平坦化制作工艺平坦化该介电层，平坦化后的该介电层的表面高于该些金属互连线的顶面；以及 在平坦化后的该介电层的该表面上形成第一高应力四乙氧基硅烷层，其中该第一高应力四乙氧基硅烷层为单一层且该第一高应力四乙氧基硅烷层的应力随着其厚度而变，通过调整该第一高应力四乙氧基硅烷层的厚度使得该第一高应力四乙氧基硅烷层的应力设定成抵消该基底的固有应力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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