上海盛剑半导体科技有限公司张伟明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海盛剑半导体科技有限公司申请的专利一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223843936U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422958480.4，技术领域涉及：H05H1/28；该实用新型一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬是由张伟明;安雪雨;陈毅设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬，涉及热等离子处理技术领域。该等离子火炬阳极水冷结构包括阳极盘，阳极盘的一侧开设有沉槽；阳极盘的另一侧设有凸台，凸台开设有沿轴向贯穿的安装通孔，安装通孔与沉槽连通；安装通孔具有依次连通的第一孔段和第二孔段；第一孔段的第一内径大于第二孔段的第二内径；安装通孔用于容置阳极的部分，且阳极与第二孔段密封连接，阳极与第一孔段之间具有第一间隙；第一孔段与沉槽共同形成冷却腔室的一部分；阳极盘的侧壁开设有第一进水口，第一进水口与沉槽连通。上述水冷结构能够提供更大的储水空间，带走更多的热量，保证阳极工作的稳定性和持久性。
本实用新型一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬在权利要求书中公布了：1.一种等离子火炬阳极水冷结构，其特征在于，包括： 阳极盘111，所述阳极盘111的一侧开设有沉槽1111；所述阳极盘111的另一侧设有凸台112，所述凸台112开设有沿轴向贯穿的安装通孔113，所述安装通孔113与所述沉槽1111连通； 所述安装通孔113具有依次连通的第一孔段1131和第二孔段1132；所述第一孔段1131的第一内径大于所述第二孔段1132的第二内径；所述安装通孔113用于容置阳极120的部分，且所述阳极120与所述第二孔段1132密封连接，所述阳极120与所述第一孔段1131之间具有第一间隙114；所述第一孔段1131与所述沉槽1111共同形成冷却腔室115的一部分； 所述阳极盘111的侧壁开设有第一进水口116，所述第一进水口116与所述沉槽1111连通。
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