苏州苏纳光电有限公司金山获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州苏纳光电有限公司申请的专利硅电容电极结构及硅电容获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844142U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520378153.3，技术领域涉及：H10D1/60；该实用新型硅电容电极结构及硅电容是由金山;黄志远;费孝斌;何婷婷;黄寓洋设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅电容电极结构及硅电容在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种硅电容电极结构及硅电容，通过对多组呈三角形网格分布的多组基元阵列进行更加合理精密的嵌套组合排列，可以在有限的空间内进一步提高电容器的电容量，使其能够存储更多的电荷。
本实用新型硅电容电极结构及硅电容在权利要求书中公布了：1.一种硅电容电极结构，其特征在于，包括： 基底，具有第一表面； 第一基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述第一基元阵列包括多个呈第一三角形网格分布的第一基元，所述第一基元包括凸出于所述第一表面的柱体和或凹设于所述第一表面的孔洞，每个所述第一基元包括位于两端的第一主体部A和第一主体部B以及连接所述第一主体部A和第一主体部B的第一连接部，所述第一基元中的第一主体部A的中心点构成所述第一三角形网格的格点； 第二基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述第二基元阵列包括多个呈第二三角形网格分布的第二基元，所述第二基元包括凸出于所述第一表面的柱体和或凹设于所述第一表面的孔洞，每个所述第二基元包括位于两端的第二主体部A和第二主体部B以及连接所述第二主体部A和第二主体部B的第二连接部，所述第二基元中的第二主体部A的中心点构成所述第二三角形网格的格点； 其中，所述第一三角形网格的尺寸与所述第二三角形网格的尺寸相同，所述第一三角形网格的任一格点与所述第二三角形网格的任一格点不重合设置且所述第一三角形网格的格点位于所述第二三角形网格的格线上； 所述第二基元的尺寸与所述第一基元相同，所述第二基元由所述第一基元平移后形成，所述第一基元与所述第二基元之间不接触设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州苏纳光电有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区华凌街9号泰凌产业园1号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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