合肥晶合集成电路股份有限公司张德培获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844144U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423296016.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种功率半导体器件是由张德培;王梦慧设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种功率半导体器件，半导体器件包括：衬底，衬底内包括间隔设置的体区和漂移区；第一阱区，形成于体区内；衬底引出区，形成于体区内，第一阱区与衬底引出区间隔设置，衬底引出区包括：多晶硅体，多晶硅体由体区的表面延伸至体区内，多晶硅体的竖直向尺寸大于第一阱区的结深；第一介质层，设置于多晶硅体的外侧设置，第一介质层分隔第一阱区和多晶硅体；第二阱区，形成于漂移区内；栅介质层，设置在漂移区的表面上，栅介质层位于体区与第二阱区之间，栅介质层与第二阱区分隔；多晶硅栅层，设置在栅介质层、漂移区、衬底和体区的表面上。本申请在不增加半导体器件的横向尺寸的前提下，可提升源极和衬底之间的耐压。
本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内包括间隔设置的体区和漂移区； 第一阱区，形成于所述体区内，以形成源极； 衬底引出区，形成于所述体区内，所述第一阱区与所述衬底引出区间隔设置，所述衬底引出区包括： 多晶硅体，所述多晶硅体由所述体区的表面延伸至所述体区内，所述多晶硅体的竖直向尺寸大于所述第一阱区的结深； 第一介质层，设置于所述多晶硅体的外侧设置，所述第一介质层分隔所述第一阱区和所述多晶硅体； 第二阱区，形成于所述漂移区内，以形成漏极； 栅介质层，设置在所述漂移区的表面上，所述栅介质层位于所述体区与所述第二阱区之间，所述栅介质层与所述第二阱区分隔；以及 多晶硅栅层，设置在所述栅介质层、所述漂移区、所述衬底和所述体区的表面上，以形成栅极。
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