天合光能股份有限公司王宇航获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利TBC太阳能电池、光伏组件及光伏系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844152U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520092003.6，技术领域涉及：H10F10/14；该实用新型TBC太阳能电池、光伏组件及光伏系统是由王宇航;柳伟;王天宇设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本TBC太阳能电池、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本申请提供了TBC太阳能电池、光伏组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。TBC太阳能电池包括N型衬底硅、正电极、负电极；N型衬底硅的正面包括依次层叠的第一氧化硅层、第一氮化硅层；N型衬底硅的背面包括P区、N区和隔离区域，隔离区域用于隔开P区和N区；P区包括依次层叠的第二隧穿氧化硅层、P型多晶硅层、氧化铝层、氧化硅掩膜层；N区包括依次层叠的第一隧穿氧化硅层、N型多晶硅层、第二氮化硅层；隔离区域上设置有第二氧化硅层。本申请优化了TBC太阳能电池各区域的钝化结构，避免钝化结构引起的反型，降低寄生漏电发生率，缓解了传统氧化铝氮化硅钝化结构导致的表面复合速率增大的问题，使制备得到的TBC太阳能电池具有更高的Voc和Jsc。
本实用新型TBC太阳能电池、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种TBC太阳能电池，其特征在于，包括N型衬底硅、正电极、负电极； 所述N型衬底硅的正面包括依次层叠的第一氧化硅层、第一氮化硅层； 所述N型衬底硅的背面包括P区、N区和隔离区域，所述隔离区域用于隔开所述P区和所述N区； 所述P区包括依次层叠的第二隧穿氧化硅层、P型多晶硅层、氧化铝层、氧化硅掩膜层； 所述N区包括依次层叠的第一隧穿氧化硅层、N型多晶硅层、第二氮化硅层； 所述隔离区域上设置有第二氧化硅层； 其中，所述正电极透过所述氧化硅掩膜层、所述氧化铝层，与所述P型多晶硅层形成欧姆接触；所述负电极透过所述第二氮化硅层，与所述N型多晶硅层形成欧姆接触。
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