HOYA株式会社桥本雅广获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112946996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011344580.8，技术领域涉及：G03F1/50；该发明授权掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法是由桥本雅广设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成。此处，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
本发明授权掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，其具备基板和位于基板上的图案形成用薄膜， 所述薄膜由含有铬的材料形成， 所述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成， 所述上部区域的结晶尺寸比除所述上部区域以外的区域的结晶尺寸大， 在使用了将硝酸铈铵作为主成分的蚀刻液的情况下，所述上部区域的蚀刻速率比除所述上部区域以外的区域的蚀刻速率快。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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