日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095169.X，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括第一芯片和线路层；第一芯片位于线路层上，第一芯片的主动表面朝向线路层；半导体封装装置定义应力中性区，第一芯片的主动表面的边角靠近应力中性区。该半导体封装装置降低了第一芯片的应力集中点所受的应力，进而降低了第一芯片的边角对周围材料例如封装材的挤压作用，避免了相应的结构断裂，有利于提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括第一芯片和线路层； 所述第一芯片位于所述线路层上，所述第一芯片的主动表面朝向所述线路层； 所述半导体封装装置定义应力中性区，所述第一芯片的主动表面的边角靠近所述应力中性区，所述线路层包括主扇出层和位于所述主扇出层上的第一扇出层，所述第一扇出层的上表面相比于所述主扇出层的上表面更靠近所述应力中性区,所述第一芯片位于所述第一扇出层上，所述应力中性区与所述半导体封装装置的底面的距离通过以下式1确定： C＝A·[E1v1+y·s+E2v2-y·s]式1 其中，C为所述应力中性区与所述半导体封装装置的底面的距离，A为预设常数，E1为所述第一扇出层的杨氏系数，E2为封装材的杨氏系数，s为所述第一扇出层的面积，y为所述第一扇出层的厚度，v1为所述第一扇出层与所述半导体封装装置的体积比，v2为所述封装材与所述半导体封装装置的体积比； 所述半导体封装装置还包括位于所述线路层上的第二芯片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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