意法半导体股份有限公司R·蒂齐亚尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011518461.X，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法是由R·蒂齐亚尼;M·马佐拉设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法。一种用于半导体器件的引线框架，该引线框架包括裸片焊盘部分，裸片焊盘部分具有第一平面裸片安装表面和与第一表面相对的第二平面表面，第一表面和第二表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘，其中该裸片焊盘包括至少一个封装模塑化合物接纳开口，该至少一个封装模塑化合物接纳开口在所述第一平面表面的外围处。
本发明授权用于半导体器件的引线框架、对应的半导体产品和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件的引线框架，包括： 裸片焊盘部分，具有第一平面裸片安装表面和与所述第一平面裸片安装表面相对的第二平面表面，所述第一平面裸片安装表面和所述第二平面表面具有共同限定所述裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘；以及 至少一个腔体，从所述第一平面裸片安装表面延伸穿过所述裸片焊盘到所述第二平面表面，以限定位于所述至少一个腔体与所述外围轮廓之间的所述裸片焊盘的锚定部分； 其中所述至少一个腔体包括： 第一蚀刻部分，延伸到所述第一平面裸片安装表面中到达第一深度，所述第一深度小于所述裸片焊盘的厚度；以及 第二蚀刻部分，延伸到所述第二平面表面中到达第二深度，所述第二深度小于所述裸片焊盘的厚度； 其中，所述第一蚀刻部分的底部限定在所述至少一个腔体内的台阶表面，所述台阶表面与所述第一平面裸片安装表面平行延伸，并且所述第二蚀刻部分限定所述锚定部分的厚度，所述锚定部分的厚度小于所述裸片焊盘的厚度。
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