日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110255894.9，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权半导体结构及其制造方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体结构及其制造方法，在目前BGABallGridArray，球栅阵列基板紧缺以及FOSubFan‑Out结合Substrate基板良率低的情况下，利用基板Substrate与重布线中介层RDLinterposer的结合，以实现取代多层BGA基板，并且利用FCBFlipChipBonding，倒装芯片键合技术结合基板和重布线中介层，利用模塑molding技术制作重布线中介层，提高了产品良率。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 基板； 重布线中介层，设于所述基板上，所述重布线中介层包括重布线层、导电柱、第一模封层以及电接触件，所述第一模封层设于所述电接触件上，所述导电柱嵌入所述第一模封层中，所述重布线层设于所述第一模封层上，所述第一模封层为有机材料； 所述半导体结构还包括： 第一底部填充材，包覆所述电接触件以及填充所述第一模封层与所述基板之间的缝隙； 芯片，设于所述重布线中介层上； 第二模封材，包覆所述重布线中介层和所述芯片，其中，所述第一模封层的刚性大于所述第二模封材的刚性。
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