富士电机株式会社洼内源宜获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110055667.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由洼内源宜设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在半导体装置中优选晶体管等开关元件的阈值电压的变动小。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面并设置有第一导电型的漂移区；沟槽部，其以从半导体基板的上表面到达漂移区的方式设置；以及台面部，其被夹在沟槽部之间，台面部具有：第二导电型的基区，其设置在漂移区与上表面之间；以及第一区域，其在台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，其具有上表面和下表面并设置有第一导电型的漂移区； 沟槽部，其以从所述半导体基板的所述上表面到达所述漂移区的方式设置；以及 台面部，其被夹在所述沟槽部之间， 所述台面部具有： 第二导电型的基区，其设置在所述漂移区与所述上表面之间；以及 第一区域，其在所述台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰， 在所述第一深度位置处，所述基区的与所述沟槽部接触的部分的氢化学浓度为所述第一区域的所述浓度峰的氢化学浓度的110以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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