英飞凌科技奥地利有限公司I·诺伊曼获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110158204.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法是由I·诺伊曼;M·胡茨勒;D·拉福雷特;R·莫尼希;R·西米尼克设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法在说明书摘要公布了：公开了晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法。在实施例中，晶体管器件包括具有主表面的半导体衬底、包括多个晶体管单元的单元场、以及在横向上围绕单元场的边缘终止区。单元场包括在半导体衬底的主表面中的栅极沟槽、衬垫栅极沟槽的栅极电介质、被布置在栅极沟槽中在栅极电介质上的金属栅极电极、以及被布置在金属栅极电极上并且在栅极沟槽内的电绝缘封盖。
本发明授权晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，包括： 具有主表面的半导体衬底；包括竖向功率晶体管的多个晶体管单元的单元场；在与主表面相对的第二主表面处的第一导电类型的漏极区；以及在横向上围绕单元场的边缘终止区； 其中，单元场包括： 在第一导电类型的漂移区上的与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区； 在本体区上或本体区中的第一导电类型的源极区； 在半导体衬底的主表面中的栅极沟槽； 衬垫栅极沟槽的栅极电介质； 金属栅极电极，其被布置在栅极沟槽中在栅极电介质上； 电绝缘封盖，其被布置在金属栅极电极上并且在栅极沟槽内。
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