高通股份有限公司刘凯获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113439390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080014982.3，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装是由刘凯;唐瑞;C·H·芸;M·F·维勒兹;金钟海设计研发完成，并于2020-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装在说明书摘要公布了：本公开的各方面涉及一种带通滤波器，其包括在输入端子和输出端子处具有两个匹配电感器的全晶格布置中的四个BAW谐振器。本公开的另外方面涉及将BAW滤波器芯片与嵌入式3D电感器组合。通过将正面和背面RDL960、970、980；1667、1675与过模具通孔、TMV930、或过基板通孔1630进行组合来将3D电感器嵌入模具850或载体基板1610中。BAW芯片与TMV电感器位于同一模具中，或位于包含TSV电感器的载体基板上。
本发明授权使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装在权利要求书中公布了：1.一种用于在集成电路IC上形成一个或多个单独带通滤波器的方法，所述方法包括： 通过以下操作来形成多个三维3D电感器： 在所述集成电路IC上的晶片层中定位第一重分布层RDL； 在所述晶片层上方放置多个垂直导电柱； 将第一钝化层涂覆到所述晶片层； 在所述第一钝化层上镀制第二重分布层RDL；以及 在所述第二重分布层RDL上方涂覆第二钝化层；以及将多个平面谐振器芯片组装到所述晶片层上以将所述多个平面谐振器芯片并联电连接到所述多个3D电感器，其中，所述多个平面谐振器芯片包括小于中心频率的5％的第一滤波器传递函数的固有通带，并且其中，所述多个平面谐振器芯片和所述多个3D电感器的组合包括大于所述中心频率的5％的第二滤波器传递函数的外部通带。
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