伊文萨思粘合技术公司G·高获国家专利权
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龙图腾网获悉伊文萨思粘合技术公司申请的专利减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113711344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080030123.3，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤是由G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤在说明书摘要公布了：提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后，通过恢复平坦直接接合表面，制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破坏的探测焊盘表面上填充一系列金属以及氧化物，并且构建电介质表面以及用于混合接合的互连件。互连件可以被连接到探测焊盘和或衬底的其他电接触。层结构被描述用于增加所得直接接合处理的产出以及可靠性。另一处理在倒数第二金属化物层上构建探测焊盘，并且施加直接接合电介质层以及金属镶嵌处理而不增加掩模层的计数。另一示例性处理以及相关的层结构将探测焊盘凹陷到较低的金属化物层并且允许在探测焊盘上的凹腔。
本发明授权减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤在权利要求书中公布了：1.一种制备用于直接接合处理的衬底的方法，包括： 接纳衬底，所述衬底包括一个金属化物层，所述一个金属化物层包括用于测试所述衬底的探测焊盘，所述探测焊盘具有由于与测试探针接触而导致的突起； 在所述探测焊盘上和所述突起的至少一部分上沉积或过填充第一金属层，所述第一金属层与所述探测焊盘直接接触；以及 使在所述探测焊盘和所述突起上的所述第一金属层平坦化为平坦表面； 在所述平坦表面上施加电介质层； 图案化所述电介质层，以在与所述一个金属化物层的电特征电连通的电接触上制造开口； 将第二金属层沉积到至少所述开口中，以在所述电介质层处制造用于所述直接接合处理的互连件，其中所述第二金属层直接接触所述电接触；以及 将所述第二金属层以及所述电介质层平坦化到能够将所述互连件直接接合到另一衬底的第二互连件并且将所述电介质层直接接合到所述另一衬底的第二电介质的平坦度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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